STW33N60DM2

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Especificaciones

Número de pieza

STW33N60DM2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STW33N60DM2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

MDmesh™ DM2
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

190W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

497-16353-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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STW36N55M5

Descripción: MOSFET N CH 550V 33A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

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