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3403846Imagen STW7N90K5STMicroelectronics

STW7N90K5

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STW7N90K5
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP.,
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    1.STW7N90K5.pdf
    2.STW7N90K5.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    MDmesh™ K5
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    -
  • La disipación de energía (máximo)
    110W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    497-17081
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    900V
  • Descripción detallada
    N-Channel 900V 7A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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