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VND810

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Especificaciones
  • Número de pieza
    VND810
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Voltaje - fuente (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Tensión - Carga
    5.5 V ~ 36 V
  • Tipo de interruptor
    General Purpose
  • Paquete del dispositivo
    16-SO
  • Serie
    VIPower™
  • Rds On (Tipo)
    160 mOhm (Max)
  • Relación - Entrada: Salida
    1:1
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Tipo de salida
    N-Channel
  • Configuración de salida
    High Side
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Número de salidas
    2
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Interfaz
    On/Off
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • Caracteristicas
    Auto Restart, Status Flag
  • Protección contra fallos
    Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
  • Corriente - Salida (Max)
    3.5A
  • Número de pieza base
    VND810
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

Descripción: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810MSP-E

VND810MSP-E

Descripción: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810SP

VND810SP

Descripción: IC DRIVER 2CH HI-SIDE POWERSO-10

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7N04-E

VND7N04-E

Descripción: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

Descripción: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND81013TR

VND81013TR

Descripción: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810MSP

VND810MSP

Descripción: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

Descripción: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

Descripción: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7NV04-1

VND7NV04-1

Descripción: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7N0413TR

VND7N0413TR

Descripción: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

Descripción: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7NV04-E

VND7NV04-E

Descripción: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7NV04

VND7NV04

Descripción: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

Descripción: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810-E

VND810-E

Descripción: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND7N04-1-E

VND7N04-1-E

Descripción: MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

Descripción: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810PEP-E

VND810PEP-E

Descripción: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
VND810PTR-E

VND810PTR-E

Descripción: IC DRIVER HIGH SIDE SW 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles

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