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1N5806US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5806US
  • Fabricante / Marca
    Semtech
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 150V 1.1A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    1N5806US.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    875mV @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    150V
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF
  • Otros nombres
    1N5806USS
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    46 Weeks
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 150V 1.1A Surface Mount
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 150V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1.1A
  • Capacitancia Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz

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