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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-RF > DMJ2833-000
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DMJ2833-000

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMJ2833-000
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    -
  • Paquete del dispositivo
    504-012
  • Serie
    -
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • La disipación de energía (máximo)
    75mW
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    -
  • Otros nombres
    Q8662607
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 175°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky - 1 Pair Series Connection
  • Descripción detallada
    RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 100mA 75mW 504-012
  • Corriente - Max
    100mA
  • Capacitancia Vr, F
    0.1pF @ 0V, 1MHz
MA4P4001B-402

MA4P4001B-402

Descripción: DIODE PIN CERAMIC AXIAL HI-PAX

Fabricantes: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
Existencias disponibles
HSMS-2812-TR2G

HSMS-2812-TR2G

Descripción: DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-23

Fabricantes: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Existencias disponibles
BAP64-05-TP

BAP64-05-TP

Descripción: DIODE RF PIN 175V 100MA SOT23

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Descripción: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
BAR9002ELE6327XTMA1

BAR9002ELE6327XTMA1

Descripción: DIODE PIN SGL 80V 100MA TSLP2-19

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descripción: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descripción: MOSFET N-CH TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descripción: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
MMBD330T1G

MMBD330T1G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT-323

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
BA779-2-HG3-08

BA779-2-HG3-08

Descripción: DIODE RF PIN 30V 50MA SOT23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
HBAT-5402-TR1G

HBAT-5402-TR1G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 220MA SOT-23

Fabricantes: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Existencias disponibles
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Descripción: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descripción: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
MA2SP0500L

MA2SP0500L

Descripción: DIODE PIN 60V 50MA SSMINI-2P

Fabricantes: Panasonic
Existencias disponibles
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles

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