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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1T4G A0G
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1T4G A0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1T4G A0G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    TS-1
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    T-18, Axial
  • Otros nombres
    1T4G A0G-ND
    1T4GA0G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Through Hole TS-1
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
BAT54FILM

BAT54FILM

Descripción: DIODE SCHOTTKY 40V 300MA SOT23-3

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
CD214B-R3100

CD214B-R3100

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A SMB

Fabricantes: Bourns, Inc.
Existencias disponibles
FR30J02

FR30J02

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A DO5

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
AU02WK

AU02WK

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 800MA AXIAL

Fabricantes: Sanken Electric Co., Ltd.
Existencias disponibles
1T4G R0G

1T4G R0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
1T4G A1G

1T4G A1G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
JANTXV1N6622US

JANTXV1N6622US

Descripción: DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RU 2B

RU 2B

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Sanken Electric Co., Ltd.
Existencias disponibles
BAW62,143

BAW62,143

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
S3B-TP

S3B-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
R7221208ESOO

R7221208ESOO

Descripción: DIODE GP 1.2KV 800A DO200AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
ESJLWHRQG

ESJLWHRQG

Descripción: DIODE, SUPER FAST

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
SCS206AGC

SCS206AGC

Descripción: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BAV21WS-HE3-08

BAV21WS-HE3-08

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
AU3PKHM3/87A

AU3PKHM3/87A

Descripción: DIODE AVALANCHE 800V 1.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
VS-6EWH06FNTRL-M3

VS-6EWH06FNTRL-M3

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 6A D-PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SRAF530HC0G

SRAF530HC0G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 5A ITO220AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S2F

S2F

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
NRVBM120ET3G

NRVBM120ET3G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
1N5393GPHE3/54

1N5393GPHE3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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