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3774709Imagen 2A05G R0GTSC (Taiwan Semiconductor)

2A05G R0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2A05G R0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2A05G R0G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 2A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-204AC (DO-15)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Otros nombres
    2A05G R0G-ND
    2A05GR0G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 2A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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2A05GHR0G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15

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Descripción: TAPE PROTECT MULTI-POLY 24"X300'

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC

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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC

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Descripción: BEZEL SWITCH WHITE

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 2A DO204AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: BOOT INSULATING SINGLE CONDUCTOR

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
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Descripción: INSULATOR BREAK-AWAY

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
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