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6A100G B0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    6A100G B0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 6A R-6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    6A100G B0G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 6A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    R-6
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    R6, Axial
  • Otros nombres
    6A100G B0G-ND
    6A100GB0G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 6A Through Hole R-6
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    6A
  • Capacitancia Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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