6A20G A0G

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Especificaciones

Número de pieza

6A20G A0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 6A R-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

6A20G A0G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

R-6
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

R6, Axial
Otros nombres

6A20G A0G-ND
6A20GA0G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 6A Through Hole R-6
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

6A
Capacitancia Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 6A R-6

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6A22-A0421-006.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 6M

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 6A R6

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6A22-A0421-010.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 10M

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6A22-A0421-011.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 11M

Fabricantes: 3M

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6A22-A0421-009.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 9M

Fabricantes: 3M

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6A22-A0421-004.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 4M

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Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 1M

Fabricantes: 3M

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6A22-A0421-005.0-0

Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 5M

Fabricantes: 3M

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Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 7M

Fabricantes: 3M

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Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 8M

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Descripción: QSFP-QSFP QDR 4CH PLEN OM2+ 12M

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