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6746902Imagen BA157G R0GTSC (Taiwan Semiconductor)

BA157G R0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BA157G R0G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-204AL (DO-41)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    150ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Otros nombres
    BA157G R0G-ND
    BA157GR0G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
BA157GPHE3/54

BA157GPHE3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BA157G A0G

BA157G A0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA15218F-E2

BA15218F-E2

Descripción: IC OPAMP GP 10MHZ 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA14741FJ-GE2

BA14741FJ-GE2

Descripción: IC OP AMP DUAL LOW NOISE 14SOPJ

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA157G B0G

BA157G B0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA157GP-E3/54

BA157GP-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BA157G R1G

BA157G R1G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA157GHR0G

BA157GHR0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA157GHA0G

BA157GHA0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA157-E3/73

BA157-E3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BA157GP-M3/54

BA157GP-M3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
BA157-E3/54

BA157-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BA15218

BA15218

Descripción: IC OPAMP GP 10MHZ 8DIP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA157GPHE3/73

BA157GPHE3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
BA157GHB0G

BA157GHB0G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA157-TP

BA157-TP

Descripción: DIODE GPP 1A DO-41

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
BA157GHR1G

BA157GHR1G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
BA15532F-E2

BA15532F-E2

Descripción: IC OPAMP GP 20MHZ 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA15218N

BA15218N

Descripción: IC OPAMP GP 10MHZ 8SIP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA157GP-E3/73

BA157GP-E3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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