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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BC337-25 A1G

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Imagen BC337-25 A1G

TSC (Taiwan Semiconductor)

BC337-25 A1G

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Especificaciones

Número de pieza

BC337-25 A1G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, 160A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BC337-25 A1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

45V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-92
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

BC337-25 A1G-ND
BC337-25A1G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA

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