BYG20D R3G

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Especificaciones

Número de pieza

BYG20D R3G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BYG20D R3G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.4V @ 1.5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

DO-214AC (SMA)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

75ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DO-214AC, SMA
Otros nombres

BYG20D R3GCT
BYG20D R3GCT-ND
BYG20DR3GCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

1.5A
Capacitancia Vr, F

-

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