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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-Zener-Single > BZD17C12P R3G
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56695Imagen BZD17C12P R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

BZD17C12P R3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BZD17C12P R3G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BZD17C12P R3G.pdf
  • Tensión - Zener (Nombre) (Vz)
    12V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 200mA
  • Tolerancia
    ±5%
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    BZD17C12P R3GTR
    BZD17C12P R3GTR-ND
    BZD17C12PR3GTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    27 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedancia (Max) (ZZT)
    7 Ohms
  • Descripción detallada
    Zener Diode 12V 800mW ±5% Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    3µA @ 9.1V

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