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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > ES3GB R5G
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604892Imagen ES3GB R5GTSC (Taiwan Semiconductor)

ES3GB R5G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ES3GB R5G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.13V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    400V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AA (SMB)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Otros nombres
    ES3GB R5GTR
    ES3GB R5GTR-ND
    ES3GBR5GTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 400V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    41pF @ 4V, 1MHz
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3G-E3/9AT

ES3G-E3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ES3G V6G

ES3G V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3FHR7G

ES3FHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3G V7G

ES3G V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3GHM6G

ES3GHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3G M6G

ES3G M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3G-E3/57T

ES3G-E3/57T

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3G R7G

ES3G R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

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ES3GB M4G

ES3GB M4G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3G-M3/57T

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

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