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4706307Imagen GP1003HC0GTSC (Taiwan Semiconductor)

GP1003HC0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GP1003HC0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GP1003HC0G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 10A Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    10A

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