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Imagen HERAF808G C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

HERAF808G C0G

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Especificaciones

Número de pieza

HERAF808G C0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HERAF808G C0G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1000V
Paquete del dispositivo

ITO-220AC
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

80ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-2 Full Pack
Otros nombres

HERAF808G C0G-ND
HERAF808GC0G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1000V 8A Through Hole ITO-220AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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