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4506169Imagen HS2JA R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

HS2JA R3G

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100+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    HS2JA R3G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HS2JA R3G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 1.5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    75ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    HS2JA R3GCT
    HS2JA R3GCT-ND
    HS2JAR3GCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    17 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1.5A
  • Capacitancia Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz

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