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Imagen HS3K R7G

TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3K R7G

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Especificaciones

Número de pieza

HS3K R7G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HS3K R7G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

800V
Paquete del dispositivo

DO-214AB (SMC)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

75ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

DO-214AB, SMC
Otros nombres

HS3K R7GCT
HS3K R7GCT-ND
HS3KR7GCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

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