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191497Imagen LL4448 L1GTSC (Taiwan Semiconductor)

LL4448 L1G

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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    LL4448 L1G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GP 75V 150MA MINIMELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    LL4448 L1G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    75V
  • Paquete del dispositivo
    Mini MELF
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    54ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Otros nombres
    LL4448 L1GCT
    LL4448 L1GCT-ND
    LL4448L1GCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 75V 150mA Surface Mount Mini MELF
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 75V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    150mA
  • Capacitancia Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MINMELF

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Descripción: DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80

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Descripción: DIODE GP 75V 150MA MINIMELF

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD80

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Descripción: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD80

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80

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Descripción: DIODE GEN 25V 150MA MINI MELF

Fabricantes: Diodes Incorporated
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