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2660875Imagen MUR110S R5GTSC (Taiwan Semiconductor)

MUR110S R5G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MUR110S R5G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MUR110S R5G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    875mV @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AA (SMB)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AA, SMB
  • Otros nombres
    MUR110S R5G-ND
    MUR110SR5G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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