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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > RS1JFS MXG
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2327389Imagen RS1JFS MXGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JFS MXG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1JFS MXG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE, FAST, 1A, 600V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    SOD-128
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    250ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOD-128
  • Otros nombres
    RS1JFSMXG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD-128
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    7pF @ 4V, 1MHz
RS1JFA

RS1JFA

Descripción: DIODE GP 600V 800MA SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1JB-13-F

RS1JB-13-F

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1JDFQ-13

RS1JDFQ-13

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JHE3/5AT

RS1JHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1JHE3/61T

RS1JHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1JFSHMXG

RS1JFSHMXG

Descripción: DIODE, FAST, 1A, 600V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1JB-13

RS1JB-13

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1JFS MWG

RS1JFS MWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JDF-13

RS1JDF-13

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1JFSHMWG

RS1JFSHMWG

Descripción: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1J-M3/5AT

RS1J-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1J/1

RS1J/1

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS1JFP

RS1JFP

Descripción: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RS1J-M3/61T

RS1J-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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