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4247069Imagen RS1JL R3GTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL R3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1JL R3G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RS1JL R3G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 800mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    250ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    RS1JL R3GCT
    RS1JL R3GCT-ND
    RS1JLR3GCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    25 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    800mA
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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