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4766434Imagen RS1KL RHGTSC (Taiwan Semiconductor)

RS1KL RHG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1KL RHG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 800mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    500ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    RS1KL RHG-ND
    RS1KLRHG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    800mA
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1KHE3_A/H

RS1KHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1KL MTG

RS1KL MTG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KLHR3G

RS1KLHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KL M2G

RS1KL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KL RTG

RS1KL RTG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KLHMHG

RS1KLHMHG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KL R3G

RS1KL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KL RQG

RS1KL RQG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KHE3_A/I

RS1KHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS1KLHRFG

RS1KLHRFG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KLHMTG

RS1KLHMTG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KHM2G

RS1KHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KL MHG

RS1KL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RS1KHR3G

RS1KHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL RFG

RS1KL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL MQG

RS1KL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL RVG

RS1KL RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KL RUG

RS1KL RUG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KLHMQG

RS1KLHMQG

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RS1KLHM2G

RS1KLHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

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