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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > S12JC V6G
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1909637Imagen S12JC V6GTSC (Taiwan Semiconductor)

S12JC V6G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S12JC V6G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AB, SMC
  • Otros nombres
    S12JC V6G-ND
    S12JCV6G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    12A
  • Capacitancia Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12GC V6G

S12GC V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12J

S12J

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12GR

S12GR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12JC V7G

S12JC V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12K

S12K

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12JR

S12JR

Descripción: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
S12GC V7G

S12GC V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12GC M6G

S12GC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12GC R7G

S12GC R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S12JC M6G

S12JC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KC M6G

S12KC M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KCHM6G

S12KCHM6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JC R7G

S12JC R7G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12GCHR7G

S12GCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12JCHR7G

S12JCHR7G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12KC V6G

S12KC V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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S12KC V7G

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S12KC R7G

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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

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