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Imagen S1GLHM2G

TSC (Taiwan Semiconductor)

S1GLHM2G

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15000+

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Especificaciones

Número de pieza

S1GLHM2G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S1GLHM2G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

400V
Paquete del dispositivo

Sub SMA
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.8µs
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-219AB
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 400V 1A Surface Mount Sub SMA
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 400V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

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