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6071453Imagen S1JL MTGTSC (Taiwan Semiconductor)

S1JL MTG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S1JL MTG
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    1.8µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Otros nombres
    S1JL MTG-ND
    S1JLMTG
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
S1JHR3G

S1JHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JLHMHG

S1JLHMHG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL RQG

S1JL RQG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JLHMQG

S1JLHMQG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JHE3_A/H

S1JHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
S1JLHM2G

S1JLHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL RFG

S1JL RFG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL R3G

S1JL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JHE3_A/I

S1JHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
S1JL RTG

S1JL RTG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL RUG

S1JL RUG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL MHG

S1JL MHG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JHM2G

S1JHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL M2G

S1JL M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL MQG

S1JL MQG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S1JL RVG

S1JL RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1JHM3/61T

S1JHM3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
S1JL RHG

S1JL RHG

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1JHE3/5AT

S1JHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S1JHE3/61T

S1JHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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