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4102724Imagen S1KLHM2GTSC (Taiwan Semiconductor)

S1KLHM2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S1KLHM2G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    800V
  • Paquete del dispositivo
    Sub SMA
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    1.8µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-219AB
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    21 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 800V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz
S1KL R3G

S1KL R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA

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S1KLHRHG

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S1KLHRVG

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1KL RFG

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S1KL MQG

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S1KLHMQG

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S1KL RTG

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S1KLHMTG

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S1KL RQG

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S1KL RHG

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S1KLHRFG

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S1KL MHG

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S1KL RUG

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S1KLHRTG

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S1KLHR3G

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S1KLHMHG

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S1KL MTG

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S1KLHRUG

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