S3JBHR5G

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Especificaciones

Número de pieza

S3JBHR5G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S3JBHR5G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.15V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

DO-214AA (SMB)
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.5µs
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-214AA, SMB
Otros nombres

S3JBHR5GTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

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