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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > S4M R7G
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1591353Imagen S4M R7GTSC (Taiwan Semiconductor)

S4M R7G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S4M R7G
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.15V @ 4A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AB, SMC
  • Otros nombres
    S4M R7GCT
    S4M R7GCT-ND
    S4MR7GCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    4A
  • Capacitancia Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
1N5809US.TR

1N5809US.TR

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 6A

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
FESF8HT-E3/45

FESF8HT-E3/45

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 8A ITO220AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
S4M V7G

S4M V7G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
CMS21(TE12L,Q,M)

CMS21(TE12L,Q,M)

Descripción: X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
HS3D M6G

HS3D M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
AS3BJHM3/5BT

AS3BJHM3/5BT

Descripción: DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

Descripción: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments
Existencias disponibles
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

Descripción: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments
Existencias disponibles
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

Descripción: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments
Existencias disponibles
RS1PBHE3/84A

RS1PBHE3/84A

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

Descripción: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Fabricantes: Luminary Micro / Texas Instruments
Existencias disponibles
ACDBMT1200-HF

ACDBMT1200-HF

Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 1A SOD123H

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
S4M V6G

S4M V6G

Descripción: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
SR302HB0G

SR302HB0G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
SR110HR0G

SR110HR0G

Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S4M M6G

S4M M6G

Descripción: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
S4M

S4M

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
FGP20BHE3/54

FGP20BHE3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RS2KAHM2G

RS2KAHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
STTH1R04QRL

STTH1R04QRL

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO15

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles

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