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446771Imagen TSM025NB04CR RLGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM025NB04CR RLG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM025NB04CR RLG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    TSM025NB04CR RLG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 24A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.1W (Ta), 136W (Tc)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerLDFN
  • Otros nombres
    TSM025NB04CRRLGDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7150pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    113nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 24A (Ta), 161A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    24A (Ta), 161A (Tc)

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