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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > TSM048NB06LCR RLG

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Imagen TSM048NB06LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM048NB06LCR RLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM048NB06LCR RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

TSM048NB06LCR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PDFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.8 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 136W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerLDFN
Otros nombres

TSM048NB06LCRRLGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6253pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

105nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 16A (Ta), 107A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 107A (Tc)

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