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4295009Imagen TSM160P04LCRHRLGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM160P04LCRHRLG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM160P04LCRHRLG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM160P04LCRHRLG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    16 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    69W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    TSM160P04LCRHRLGTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2712pF @ 20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    P-Channel 40V 51A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    51A (Tc)

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