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Imagen TSM60N1R4CH C5G

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM60N1R4CH C5G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM60N1R4CH C5G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM60N1R4CH C5G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251 (IPAK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

38W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

TSM60N1R4CH C5G-ND
TSM60N1R4CHC5G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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