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3682496Imagen TSN525M60 S4GTSC (Taiwan Semiconductor)

TSN525M60 S4G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSN525M60 S4G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 60V 25A 8PDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSN525M60 S4G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    630mV @ 25A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    60V
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (5x6)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    TSN525M60 S4G-ND
    TSN525M60S4G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    28 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 60V 25A Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500µA @ 60V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    25A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: SELF WRAP 8" X 50' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 1" X 250' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 4" X 100' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 1.5" X 100' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 3" X 250' SILVER

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 25A 8PDFN

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Descripción: SELF WRAP 4" X 250' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 8" X 100' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 5" X 200' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 1" X 100' SILVER

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Descripción: DIODE GEN PURP 60V 25A 8PDFN

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Descripción: SELF WRAP 3" X 100' SILVER

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Descripción: SELF WRAP 5" X 100' SILVER

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