UG8JHC0G

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Especificaciones

Número de pieza

UG8JHC0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

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Descripción

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UG8JHC0G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.9V @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

600V
Paquete del dispositivo

TO-220AC
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
Corriente - Fuga inversa a Vr

30µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

-

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