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1601315Imagen UGA8120HC0GTSC (Taiwan Semiconductor)

UGA8120HC0G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UGA8120HC0G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 8A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UGA8120HC0G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.8V @ 8A
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    70ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 8A Through Hole TO-220AC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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NSR0520V2T5G

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD523

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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