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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > TC58BVG1S3HBAI6
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4106655Imagen TC58BVG1S3HBAI6Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TC58BVG1S3HBAI6
  • Fabricante / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TC58BVG1S3HBAI6.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    25ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paquete del dispositivo
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serie
    Benand™
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    67-VFBGA
  • Otros nombres
    TC58BVG1S3HBAI6JDH
    TC58BVG1S3HBAI6YCL
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (256M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Tiempo de acceso
    25ns

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