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TC58CVG2S0HQAIE

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TC58CVG2S0HQAIE
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paquete del dispositivo
    16-SOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Otros nombres
    TC58CVG2S0HQAIEY0J
    TC58CVG2S0HQAIEYCJ
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    SPI - Quad I/O
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 16-SOP
  • Frecuencia de reloj
    104MHz
  • Tiempo de acceso
    280µs
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Descripción: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Descripción: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Descripción: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Descripción: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Descripción: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Descripción: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Descripción: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Descripción: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Descripción: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Descripción: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Descripción: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Fabricantes: Toshiba Memory America, Inc.
Existencias disponibles

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