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TH58NYG2S3HBAI4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TH58NYG2S3HBAI4
  • Fabricante / Marca
    Kioxia America, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    25ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND (SLC)
  • Paquete del dispositivo
    63-TFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Paquete / Cubierta
    63-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    -
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)

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