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1SS387CT,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

1SS387CT,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1SS387CT,L3F.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

CST2
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.6ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOD-882
Otros nombres

1SS387CT(TPL3)CT
1SS387CT(TPL3)CT-ND
1SS387CTL3FCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 80V 100mA Surface Mount CST2
Corriente - Fuga inversa a Vr

500nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io)

100mA
Capacitancia Vr, F

0.5pF @ 0V, 1MHz

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