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1413150Imagen 3SK292(TE85R,F)Toshiba Semiconductor and Storage

3SK292(TE85R,F)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    3SK292(TE85R,F)
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Voltaje - Prueba
    6V
  • Tensión - Calificación
    12.5V
  • Tipo de transistor
    N-Channel Dual Gate
  • Paquete del dispositivo
    SMQ
  • Serie
    -
  • Alimentación - Salida
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-61AA
  • Otros nombres
    3SK292 (TE85R,F)
    3SK292(TE85RF)TR
  • Figura de ruido
    1.4dB
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    26dB
  • Frecuencia
    500MHz
  • Descripción detallada
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ
  • Valoración actual
    30mA
  • Corriente - Prueba
    10mA
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Descripción: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Descripción: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MRF8S21120HR3

MRF8S21120HR3

Descripción: FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
BLP05H6350XRY

BLP05H6350XRY

Descripción: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232

Fabricantes: Ampleon
Existencias disponibles
BLM8D1822S-50PBGY

BLM8D1822S-50PBGY

Descripción: RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP

Fabricantes: Ampleon
Existencias disponibles
BLP10H603Z

BLP10H603Z

Descripción: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Fabricantes: Ampleon
Existencias disponibles
MAGX-000035-09000P

MAGX-000035-09000P

Descripción: FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN

Fabricantes: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
Existencias disponibles
BF 5020 E6327

BF 5020 E6327

Descripción: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BLF25M612G,118

BLF25M612G,118

Descripción: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

Fabricantes: Ampleon
Existencias disponibles
BLC6G27-100,118

BLC6G27-100,118

Descripción: RF FET 28V SOT895A

Fabricantes: Ampleon
Existencias disponibles
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Descripción: MOSFET N-CH SMQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Descripción: FET RF 15V 200MHZ CP4

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
MRF7S16150HSR3

MRF7S16150HSR3

Descripción: FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

Descripción: FET RF 15V 200MHZ CP4

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
MMRF1022HSR5

MMRF1022HSR5

Descripción: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
BF244A

BF244A

Descripción: JFET N-CH 30V 50MA TO92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
IXZR16N60

IXZR16N60

Descripción: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Fabricantes: IXYS RF
Existencias disponibles
SD2941-10RW

SD2941-10RW

Descripción: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

Descripción: IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343

Fabricantes: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Existencias disponibles
PTFB212507SHV1R250XTMA1

PTFB212507SHV1R250XTMA1

Descripción: IC AMP RF LDMOS

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles

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