CMH01(TE12L,Q,M)

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Especificaciones

Número de pieza

CMH01(TE12L,Q,M)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CMH01(TE12L,Q,M).pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

980mV @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

M-FLAT (2.4x3.8)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

100ns
Paquete / Cubierta

SOD-128
Otros nombres

CMH01(TE12LQM)
Temperatura de funcionamiento - Junction

-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 3A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

3A
Capacitancia Vr, F

-

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