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GT60N321(Q)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GT60N321(Q)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    GT60N321(Q).pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1000V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Condición de prueba
    -
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    330ns/700ns
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P(LH)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2.5µs
  • Potencia - Max
    170W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3PL
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH)
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    60A
  • Número de pieza base
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