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Imagen HN1C01FYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

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Especificaciones

Número de pieza

HN1C01FYTE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HN1C01FYTE85LF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor

2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo

SM6
Serie

-
Potencia - Max

300mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-74, SOT-457
Otros nombres

HN1C01FYTE85LFDKR
Temperatura de funcionamiento

125°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

80MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

150mA

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