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3945254Imagen JDP2S12CR(TE85L,QToshiba Semiconductor and Storage

JDP2S12CR(TE85L,Q

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Especificaciones
  • Número de pieza
    JDP2S12CR(TE85L,Q
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    180V
  • Paquete del dispositivo
    S-FLAT (1.6x3.5)
  • Serie
    -
  • Resistencia @ Si, F
    700 mOhm @ 10mA, 100MHz
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOD-123F
  • Otros nombres
    JDP2S12CR(TE85LQ)CT
    JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND
    JDP2S12CR(TE85LQCT
    JDP2S12CR(TE85LQMCT
    JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    PIN - Single
  • Descripción detallada
    RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5)
  • Corriente - Max
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    1.3pF @ 40V, 1MHz

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Fabricantes: Avago Technologies (Broadcom Limited)
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