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4427448Imagen RN2909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN2909(T5L,F,T)
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    US6
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    RN2909(T5LFT)TR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
RN2905T5LFT

RN2905T5LFT

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2961FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2906,LF

RN2906,LF

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2904FE,LF

RN2904FE,LF

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2905FE,LF(CB

RN2905FE,LF(CB

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2911,LF

RN2911,LF

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2906(T5L,F,T)

RN2906(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2907FE,LF(CB

RN2907FE,LF(CB

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2911FE(TE85L,F)

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Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2906FE(TE85L,F)

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RN2910FE,LF(CB

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Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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