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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > RN4984(T5L,F,T)

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Imagen RN4984(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984(T5L,F,T)

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Especificaciones

Número de pieza

RN4984(T5L,F,T)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RN4984(T5L,F,T).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo

US6
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

RN4984(T5LFT)TR
RN4984T5LFT
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz, 200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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