TJ60S06M3L(T6L1,NQ

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Especificaciones

Número de pieza

TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TJ60S06M3L(T6L1,NQ.pdf
2.TJ60S06M3L(T6L1,NQ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+10V, -20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK+
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

11.2 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

100W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7760pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

156nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

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