TK14G65W5,RQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK14G65W5,RQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK14G65W5,RQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 690µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 6.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

130W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.7A (Ta)

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TK14A65W,S5X

Descripción: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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