TK20V60W,LVQ

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Especificaciones

Número de pieza

TK20V60W,LVQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TK20V60W,LVQ.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.7V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-DFN-EP (8x8)
Serie

DTMOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

170 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

156W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

4-VSFN Exposed Pad
Otros nombres

TK20V60WLVQCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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TK2205800000G

Descripción: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Fabricantes: Anytek (Amphenol Anytek)

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